[发明专利]使用组合间隔件的RRAM结构和工艺

摘要

一种存储单元及其形成方法。该存储单元包括：形成于第一介电层中的开口中的第一电极，第一介电层形成于包括金属层的衬底上，开口被配置为允许第一电极与金属层之间的物理接触，第一电极具有第一宽度W₁并延伸超过开口限定的区域一段距离；形成于第一电极上并具有与第一宽度W₁基本相同的宽度的电阻层；具有小于第一宽度W₁的第二宽度W₂并形成于电阻层上的覆盖层；形成于覆盖层上并具有与第二宽度W₂基本相同的宽度的第二电极；在第一宽度W₁与第二宽度W₂之间形成于电阻层上并具有至少两个不同的介电层的第一组合间隔区；以及连接到第二电极的通孔。本发明还公开了使用组合间隔件的RPAM结构和工艺。

主权项

一种形成于半导体器件中的存储单元，所述存储单元包括：第一电极，所述第一电极形成于第一介电层的开口中，所述第一介电层形成于包括金属层的衬底上，所述开口被配置为允许所述第一电极与所述金属层之间的物理接触，所述第一电极具有第一宽度W₁并延伸超出由所述开口限定的区域一段距离；电阻层，形成于所述第一电极上且基本具有所述第一宽度W₁；覆盖层，形成于所述电阻层上并具有小于所述第一宽度W₁的第二宽度W₂；第二电极，形成于所述覆盖层上且基本具有所述第二宽度W₂；第一组合间隔区，具有在所述第一宽度W₁与所述第二宽度W₂之间形成于所述电阻层上的至少两个不同的介电层；以及通孔，连接至所述第二电极。