[发明专利]一种实现光隔离的一维磁光子晶体有效
| 申请号： | 201310473372.1 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103472598A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 费宏明;武建加;杨毅彪;陈智辉;薛海斌;李琳 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种实现光隔离的一维磁光子晶体，其结构式是：[H/L]3/M/[L/H]7/M/[H/L]7/M/[L/H]3；其中：H是厚度为114.85nm的砷化镓薄膜；L是厚度为259.2nm的二氧化硅薄膜；M是厚度为158.68nm掺铈钇铁石榴石薄膜。本发明结构可在中心工作波长1550nm附近小范围内实现光隔离，且仅包含43层光学薄膜，降低了实际制备的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 隔离 一维磁 光子 晶体 | ||
【主权项】：
一种实现光隔离的一维磁光子晶体，包括一维磁光子晶体，其特征在于：所述一维磁光子晶体的结构式如下： [H/L]3/M/[L/H]7/M/[H/L]7/M/[L/H]3；其中：H是厚度为114.85nm的砷化镓薄膜；L是厚度为259.2nm的二氧化硅薄膜；M是厚度为158.68nm掺铈钇铁石榴石薄膜。
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