[发明专利]用于太阳电池的三元镉硫碲量子点敏化剂制备方法无效
申请号: | 201310474397.3 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103489647A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 邹小平;高彦艳 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100192 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于敏化太阳电池的三元镉硫碲半导体量子点敏化剂及其制备方法,该方法制备了三元镉硫碲半导体量子点,并用其作为敏化剂组装敏化太阳电池。制备的三元镉硫碲半导体量子点结合了CdS的光稳定性和CdTe的带隙与太阳光谱最匹配的优点,使得光吸收发生明显红移,进一步利于光生载流子的产生和传输动力。以三元镉硫碲半导体量子点作为敏化剂组装的敏化太阳电池相对CdS量子点敏化太阳电池,光电转换效率明显增加、光生电子的传输路径优化,短路电流密度增加近200%,开路电压也有所增加,进而提高了太阳电池能能量转换效率。此方法简单,易于操作,成本低,可大面积制作。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳电池 三元 镉硫碲 量子 点敏化剂 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于敏化太阳电池的三元镉硫碲半导体量子点敏化剂,其特征在于所述方法是以碲离子的可溶性盐与硫离子的可溶性盐的质量摩尔浓度比为1:1‑1:1000的比例制备三元镉硫碲半导体量子点,作为敏化剂组装成量子点敏化太阳电池。
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