[发明专利]将四氯化硅氢化成为三氯硅烷的方法无效

专利信息
申请号: 201310474431.7 申请日: 2013-10-12
公开(公告)号: CN103723735A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: W·黑克尔;N·埃林格尔;A·希尔施曼;J·克勒;U·佩措尔德 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李振东;过晓东
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于在反应器中使四氯化硅氢化的方法,其中首先利用至少一个由石墨制成的热交换器及随后利用至少一个由用SiC涂覆的石墨制成的加热元件将包含氢和四氯化硅的起始反应气体在4至15bar的压力下加热至大于900℃的温度,在此加热元件的温度为1150℃至1250℃,其特征在于,所述起始反应气体包含至少一种选自以下组中的硼化合物:乙硼烷、更高级硼烷、硼-卤素化合物和硼-甲硅烷基化合物,其中基于起始反应气体流,所有的硼化合物的浓度之和大于1ppmv。
搜索关键词: 氯化 氢化 成为 硅烷 方法
【主权项】:
用于在反应器中使四氯化硅氢化的方法,其中首先利用至少一个由石墨制成的热交换器及随后利用至少一个由用SiC涂覆的石墨制成的加热元件将包含氢和四氯化硅的起始反应气体在4至15bar的压力下加热至大于900℃的温度,在此加热元件的温度为1150℃至1250℃,其特征在于,所述起始反应气体包含至少一种选自以下组中的硼化合物:乙硼烷、更高级硼烷、硼‑卤素化合物和硼‑甲硅烷基化合物,其中基于起始反应气体流,所有的硼化合物的浓度之和大于1ppmv。
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