[发明专利]电子器件、光掩模以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201310475805.7 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103728832B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 山口昇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供电子器件和显示装置的制造方法、光掩模及其制造方法,能够减小不同层彼此之间的对准误差。电子器件的制造方法的特征在于,具有以下工序第1薄膜图案形成工序,在基板上实施使用了第1光掩模的第1光刻工序;以及第2薄膜图案形成工序,实施使用了第2光掩模的第2光刻工序,所述第1光掩模和所述第2光掩模具有包含透光部、遮光部和半透光部的第1转印用图案,并且所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模,或者所述第2光掩模是具有对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 显示装置 制造 方法 光掩模 及其 | ||
【主权项】:
一种电子器件的制造方法,该电子器件具有第1薄膜图案和第2薄膜图案的层叠构造,其特征在于,具有以下工序:第1薄膜图案形成工序,对形成在基板上的第1薄膜、或形成在所述第1薄膜上的第1抗蚀剂膜实施包含使用了第1光掩模的第1曝光的第1光刻工序,由此对所述第1薄膜进行构图;以及第2薄膜图案形成工序,对形成在所述基板上的所述第2薄膜、或形成在所述第2薄膜上的第2抗蚀剂膜实施包含使用了第2光掩模的第2曝光的第2光刻工序,由此将所述第2薄膜构图为与所述第1薄膜图案不同的形状,其中,所述第1光掩模和所述第2光掩模分别具有通过1次描绘工序划定的第1转印用图案和第2转印用图案,所述第1光掩模包含遮光部和半透光部,或者包含透光部、遮光部和半透光部,所述第2光掩模包含透光部、遮光部和半透光部,并且,所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模,或者所述第2光掩模是具有对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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