[发明专利]半导体装置的数据写入电路有效
申请号: | 201310475884.1 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103903643B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 金载镒 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置的数据写入电路,包括数据路径,配置为接收模式信号并且产生第一延迟模式信号;数据选通信号路径,配置为接收模式信号并且产生第二延迟模式信号;数据锁存器块,配置为响应于第二延迟模式信号而锁存第一延迟模式信号,并且输出所得信号;以及控制块,配置为产生模式信号,以及根据将数据锁存器块的锁存信号的相位与模式信号的相位比较的结果来改变数据路径的延迟时间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 数据 写入 电路 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的数据写入电路,包括:数据路径;数据选通信号路径;以及控制块,所述控制块被配置为:在调节操作中,根据通过所述数据路径的信号与通过所述数据选通信号路径的信号之间的相位差来改变所述数据路径的延迟时间,其中,所述数据路径和所述数据选通信号路径接收同一信号。
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