[发明专利]采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的PowerClamp

摘要

本发明涉及一种采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp。采用的技术方案是包括RC触发的检测电路，R1和C构成ESD监测电路，放在VDD和VSS之间，反相器Ⅰ放在RC监测电路之后，输入端和Filter节点相连，输出端和反相器Ⅱ相连，反相器Ⅱ的输出端和PMOS1的栅相连，NMOS1的栅接地，NMOS1的漏和PMOS1的漏相连然后接BIGFET的栅，BIGFET的栅同时通过一电阻R接地。本发明的新型Power clamp采用双通道技术，RC时间常数仅仅需要10‑50ns，可以大大减小Power clamp的版图面积。

主权项

采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的电源钳制电路，包括在电源VDD（1）和地VSS（2）之间设有RC触发的检测电路，其特征在于：所述的检测电路包括PMOS1（3）、NMOS1（4）、电阻R2（5）和BigFET（6），并具有Filter节点（7）、INV1OUT节点（8）、INV2OUT节点（9）和BigFET栅极节点（10）；R1和C构成ESD的RC监测电路，放在VDD（1）和VSS（2）之间，其中Filter节点（7）为R1和C连接处，反相器Ⅰ（11）放在RC监测电路之后，反相器Ⅰ（11）的输入端和Filter节点（7）相连，输出端和反相器Ⅱ（12）的输入端相连，反相器Ⅱ（12）的输出端和PMOS1（3）的栅极相连，NMOS1（4）的栅极接地，NMOS1（4）的漏极和PMOS1（3）的漏极相连然后接BigFET（6）的栅极，PMOS1（3）的源极接电源，NMOS1（4）的源极接地，BigFET（6）的栅极同时通过电阻R2（5）接地；所述的PMOS1（3）用于在ESD脉冲到达初期，PMOS1（3）开启，BigFET栅极节点（10）为高电压，BigFET（6）开启泄放ESD电流；所述的 NMOS1（4）用于在ESD脉冲到达，过了RC监测电路的RC时间常数之后，仍然保持BigFET（6）开启泄放ESD电流；所述的电阻R2（5）用于在电路正常上电的情况下，使BigFET栅极节点（10）电压为低电平，BigFET（6）关闭，不会产生漏电；RC监测电路的RC时间常数设置为10‑50ns。