[发明专利]一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体

摘要

本发明公开了一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体。该吸波体的每个吸波体单元，均主要由硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层组成，氮化硅层的上、下表面分别与电极层的下表面和硅基底的上表面相贴，在电极层上设有若干个供锚点通过的孔，多晶硅图案层通过锚点固定于氮化硅层上，所述的硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层的中心轴线重合；多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块、内方形支撑环和外方形支撑环，位于内方形支撑环和外方形支撑环之间的4根“L”型弹片，以及分别设置在方形支撑块和内方形支撑环的表面上的内方形金属环和外方形金属环。本发明所述吸波体能够对太赫兹波的吸收带宽进行动态、连续调节。

主权项

一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其特征在于：所述每个吸波体单元呈方体形状，均主要由硅基底(1)、氮化硅层(2)、电极层(3)和多晶硅图案层组成，其中：氮化硅层(2)的上、下表面分别与电极层(3)的下表面和硅基底(1)的上表面相贴，在电极层(3)上设有若干个供锚点(8)通过的孔，多晶硅图案层通过锚点(8)固定于氮化硅层(2)上，所述的硅基底(1)、氮化硅层(2)、电极层(3)和多晶硅图案层的中心轴线重合；所述的多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块(4)、内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)，所述的方形支撑块(4)、内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)与多晶硅图案层本身的中心轴线重合，其中内方形支撑环(5)位于方形支撑块(4)的外围，外方形支撑环(6)位于内方形支撑环(5)的外围；在内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)之间设置有4根”L”型弹片(7)，这4根”L”型弹片(7)呈首尾相接的方式排列设置于内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)之间，每根”L”型弹片(7)的竖端均与外方形支撑环(6)的内圈固接，其横端均与内方形支撑环(5)的外圈固接；在方形支撑块(4)和内方形支撑环(5)的表面上分别设有内方形金属环(10)和外方形金属环(9)，所述内方形金属环(10)和外方形金属环(9)的中心轴线均与方形支撑块(4)的中心轴线重合。