[发明专利]一种载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法无效

专利信息
申请号: 201310478292.5 申请日: 2013-10-14
公开(公告)号: CN103553060A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 李健生;王连军;陈心仪;齐俊文;孙秀云;沈锦优;韩卫清;刘晓东 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种新型的合成载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的方法。它是在常温下将铁盐磨入未去除嵌段共聚物的短孔道介孔硅中,氮气气氛下高温煅烧后得到该材料。嵌段共聚物在合成过程中起着两方面的作用:一方面,它作为模板与硅孔壁形成密闭空间使得大量活性硅羟基能和铁盐形成氢键,让铁盐很好地附着在孔壁内;另一方面,它高温碳化后可部分还原氧化铁形成氧化铁/零价铁不同铁状态的负载。该法与传统的水热合成、浸渍负载相比,方法新颖独特,且能够调控载入氧化铁与零价铁的状态,在芬顿、类芬顿等水处理上有较高的应用价值。
搜索关键词: 一种 氧化铁 零价铁短 孔道 介孔硅 合成 方法
【主权项】:
一种载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法,其特征在于通过以下按步骤完成:(1)制备未除模板剂的Zr‑Ce‑SBA‑15介孔硅材料;(2)将Fe(NO3)3·9H2O和未除模板剂的ZCS介孔硅材料充分混合研磨半个小时以上,在氮气气氛下升温至350℃煅烧,然后再升温至700℃、800℃或900℃煅烧,得到3种载入不同比例的氧化铁/零价铁的ZCS复合材料。
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