[发明专利]一种MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310479825.1 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103606524A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;刘云飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160)；b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位；c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入，形成载流子散射区(400)，所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的半导体结构表面下方；d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。根据本发明提供的一种减小热载流子跃迁几率的方法，在靠近漏端一侧的沟道材料中注入散射杂质，即非电离杂质，增大热载流子在夹断区被散射的概率，使得载流子在夹断区运动时受到的阻力增大，降低热载流子的能量，从而减小热载流子进入栅极介质层的数目和几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160)；b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位；c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入，形成载流子散射区(400)，所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的衬底表面下方；d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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