[发明专利]晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 201310480618.8 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730504A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | R.魏斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法。一种晶体管器件包括至少一个晶体管单元。至少一个晶体管单元包括半导体翼片和在半导体翼片中的源区、漏区、漂移区和体区。体区布置得在半导体翼片的第一方向邻近源区和漂移区。源区布置得在半导体翼片的第二方向邻近漂移区并且通过介电层与漂移区介电绝缘。漂移区布置得在第一方向邻近漏区并且具有低于漏区的掺杂浓度的掺杂浓度。栅电极在半导体翼片的第三方向邻近体区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 用于 产生 方法 | ||
【主权项】：
一种包括至少一个晶体管单元的晶体管器件，所述至少一个晶体管单元包括：半导体翼片；在所述半导体翼片中的源区、漏区、漂移区和体区，所述体区布置得在半导体翼片的第一方向邻近所述源区和所述漂移区，所述源区布置得在半导体翼片的第二方向邻近漂移区并且通过介电层与漂移区介电绝缘，漂移区布置得在所述第一方向邻近漏区并且具有比所述漏区的掺杂浓度低的掺杂浓度；和栅电极，在半导体翼片的第三方向邻近体区。
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