[发明专利]一种氮掺杂石墨烯/PVDF复合介电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310481158.0 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103500654A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 程继鹏;张孝彬;孙义质 | 申请（专利权）人： | 张孝彬 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315040 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜及其制备方法，其特征在于：所述的氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜(以下简称复合介电薄膜)是在石墨烯晶格中引入氮原子，得到氮掺杂石墨烯，所述的氮掺杂石墨烯与石墨烯具有迥异的结构和性质，本发明是通过调整氮掺杂量实现其在p型和n型半导体之间的转换来实现的，采用溶液浇铸法进行制备的，有益效果是：由于氮掺杂石墨烯具有高强度、高导电率、高比表面积，用其对聚合物材料进行改性可以得到高性能的聚合物基复合材料，所以氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜具有高导电率、高强度、高热稳定性并具有一定的阻燃性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 石墨 pvdf 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜及其制备方法，其特征在于：所述的氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜(以下简称复合介电薄膜)是在石墨烯晶格中引入氮原子，得到氮掺杂石墨烯，所述的氮掺杂石墨烯与石墨烯具有迥异的结构和性质，本发明是通过调整氮掺杂量实现其在p型和n型半导体之间的转换来实现的。
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