[发明专利]氮化物功率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310482335.7 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103531615A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物功率晶体管及其制造方法，该氮化物功率晶体管包括：硅衬底，硅衬底中包括用以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构；位于硅衬底上的氮化物成核层；位于氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极。通过在氮化物功率晶体管的硅衬底中引入可以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构，使得氮化物功率晶体管可以承受较高的外加电压，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 功率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物功率晶体管，其特征在于，所述氮化物功率晶体管包括：硅衬底，所述硅衬底中包括用以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构；位于所述硅衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与所述氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极。
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