[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管为底栅共平面结构，包括以下步骤步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成源/漏极（26），且该源/漏极（26）上覆盖有感光材料层（27）；步骤5、对栅极绝缘层（24）表面进行等离子体处理；步骤6、去除源/漏极（26）上的感光材料层（27）；步骤7、在源/漏极（26）及栅极绝缘层（24）上形成氧化物半导体层（28），并图案化该氧化物半导体层（28）。本发明通过对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，修复栅极绝缘层与氧化物半导体层界面的缺陷，进而改善薄膜晶体管的电性。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管为底栅共平面结构，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基片(20)；步骤2、在基片(20)上形成栅极(22)；步骤3、在栅极(22)与基片(20)上形成栅极绝缘层(24)；步骤4、在栅极绝缘层(24)上形成源/漏极(26)，且该源/漏极(26)上覆盖有感光材料层(27)；步骤5、对栅极绝缘层(24)表面(242)进行等离子体处理；步骤6、去除源/漏极(26)上的感光材料层(27)；步骤7、在源/漏极(26)及栅极绝缘层(24)上形成氧化物半导体层(28)，并图案化该氧化物半导体层(28)；所述步骤4包括：先在栅极绝缘层(24)上依次形成金属层与感光材料层(27)，再通过掩模板对感光材料层(27)进行曝光，去除曝光的感光材料层后，对露出的金属层进行蚀刻，进而形成源/漏极(26)，且该源/漏极(26)覆盖有感光材料层(27)；所述等离子体为氯基等离子体；以氯基等离子体进行等离子体处理时，腔体内气压为2.0～100mT，高射频为10～30000W；低射频为10～20000W；冷却气压为10～10000mT；气体体积流量为10～5000sccm；处理时间为1～150S；所述栅极绝缘层(24)包含有氧化硅、氮化硅其中之一或其组合；所述氧化物半导体层(28)为铟镓锌氧化物半导体层。