[发明专利]一种吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体制作方法

摘要

本发明公开了一种吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体制作方法，主要包括在硅基底上进行多层薄膜沉积、光刻、干法刻蚀和湿法腐蚀等工艺。其特征在于：所制作的吸波体为阵列结构，阵列结构中每个单元中央含有一个在静电力作用下可绕轴旋转的微反射镜，微反射镜表面中央带有一个“工”字形金属谐振器，用来产生谐振吸收。本发明一种适用于太赫兹频段的吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体的制作方法所制作的太赫兹窄带吸波体，能够对吸收峰位置进行动态、连续调节，从而克服了常规太赫兹吸波体吸收峰位置不可调节的缺点。这种太赫兹吸波体可大大增加频率选择性，在太赫兹探测、太赫兹滤波和频率选择性太赫兹热成像领域具有十分重要的应用价值。

主权项

一种吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体制作方法，其特征在于：采用光刻、沉积(或溅射)和剥离工艺制作在静电力作用下可绕轴旋转的微反射镜阵列，且阵列中每个单元微反射镜的表面中央都有一个“工”字形金属谐振器。反射镜通过旋转轴与方形支撑环相连，方形支撑环由四个位于角上的锚点固定于基底上，且方形支撑环上表面有一个方形金属环。具体制作工艺流程包括：(1)在硅基底上溅射(或沉积)一层氮化硅(厚度为0.05～1μm)；(2)在绝缘层上面沉积第一层多晶硅(厚度为0.4～1.5μm)并掺杂磷；(3)对多晶硅进行刻蚀，形成下电极；(4)在多晶硅上面沉积一层二氧化硅(厚度为1.5～6μm)并刻蚀形成锚位；(5)在二氧化硅沉积第二层多晶硅(厚度为1.5～3μm)并掺杂磷；(6)刻蚀第二层多晶硅，形成可绕轴旋转的微反射镜、旋转轴、锚点和方形支撑环；(7)在多晶硅上面采用金属层剥离工艺(Lift off)沉积一层0.05～0.5μm的金属，然后剥离形成反射镜表面的“工”字形金属谐振器；(8)将样片放入体积浓度为30％～60％的氢氟酸溶液中泡15～30分钟，以腐蚀二氧化硅层和释放可动结构；(9)将样片从氢氟酸溶液中取出，然后迅速放入二氧化碳临界点干燥仪中进行干燥。