[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201310485050.9 申请日: 2013-10-16
公开(公告)号: CN103618004A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 郑在纹;崔仁哲;崔星花 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,以解决现有氧化物薄膜晶体管沟道长度过大,影响薄膜晶体管性能的问题。本发明中薄膜晶体管包括有源层,覆盖于所述有源层之上的刻蚀阻挡层,以及位于所述刻蚀阻挡层之上的源电极和漏电极,所述刻蚀阻挡层具有一过孔,所述过孔侧壁暴露刻蚀阻挡层侧断面,所述过孔底面暴露有源层表面;源电极和漏电极分别覆盖过孔暴露的刻蚀阻挡层不同部分的侧断面,并且源电极覆盖过孔底面暴露的有源层的第一表面区域,漏电极覆盖过孔底面暴露的有源层的第二表面区域,第一表面区域与第二表面区域之间不重叠。通过本发明减小了薄膜晶体管的沟道长度,提高了薄膜晶体管的性能。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括有源层,覆盖于所述有源层之上的刻蚀阻挡层,以及位于所述刻蚀阻挡层之上的源电极和漏电极,其中,所述刻蚀阻挡层具有一过孔,所述过孔侧壁暴露刻蚀阻挡层侧断面,所述过孔底面暴露有源层表面;所述源电极覆盖所述过孔侧壁暴露的所述刻蚀阻挡层的第一侧断面、以及所述过孔底面暴露的所述有源层的第一表面区域;所述漏电极覆盖所述过孔侧壁暴露的所述刻蚀阻挡层的第二侧断面、以及所述过孔底面暴露的所述有源层的第二表面区域;所述第一侧断面与所述第二侧断面不重叠,所述第一表面区域与所述第二表面区域不重叠。
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