[发明专利]在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法有效
| 申请号： | 201310485162.4 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103529658A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孔庆峰;郭金霞;马平;王丽;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶圆限定在预设区域内，由掩模图形对方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对方形晶圆进行对准。本发明简单可靠、易于实现，可保证方形晶圆边沿管芯完整，提高芯片产能。 | ||
| 搜索关键词： | 第一次 光刻 工艺 对准 方形 方法 | ||
【主权项】：
一种在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法，其特征在于，包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的所述对准标记，将所述方形晶圆限定在预设区域内，由所述掩模图形对所述方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对所述方形晶圆进行对准。
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