[发明专利]一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310485315.5 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103572232A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卢靖;张亚宾;黄剑锋;曹丽云 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，将TiO2靶材和Co3O4靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将Cu靶放入直流溅射靶位；将Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品室内抽真空，并向镀膜室通入Ar气，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa-2Pa；设置两射频靶电源功率为100-400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰0.5-2，同时调节直流靶功率为20W-200W，溅射10min-90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃-700℃，煅烧0.5h-3h，随炉冷却得到最终产物。本发明通过降低“吸附”与“氧化还原反应”两个环节的活化能来实现半导体室温气敏性。这种方法反应效率高，成膜性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cuo cotio sub 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：1）以分析纯的TiO2和Co3O4为原料，分别与粘结剂混合，在50MPa‑100MPa，200℃‑700℃下预烧，制备出TiO2靶材和Co3O4靶材，并将TiO2靶材和Co3O4靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将纯度为99.99%的Cu靶放入直流溅射靶位；2）将干净的Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品室内抽真空，当真空度达到1.0×10‑4Pa‑9.9×10‑4Pa时，镀膜室通入Ar气，控制Ar气流量在10sccm‑30sccm，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa‑2Pa；3）设置两射频靶电源功率为100‑400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰（0.5‑2），同时调节直流靶功率为20W‑200W，溅射10min‑90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃‑700℃，煅烧0.5h‑3h，随炉冷却得到最终产物。
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