[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310485342.2 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104576501B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成衬垫氧化物层和硬掩膜层；在半导体衬底中蚀刻出用于填充隔离材料的第一沟槽；执行离子注入，以在第一沟槽的侧壁与衬垫氧化物层的下部交界的拐角区域形成离子注入区；以离子注入区为掩膜选择性蚀刻半导体衬底，以在第一沟槽的下部形成宽度大于第一沟槽的第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底部形成衬里氧化层；在第二沟槽和第一沟槽中填充隔离材料，以形成底部宽度大于顶部宽度的浅沟槽隔离结构。根据本发明，可以有效抑制半导体器件特征尺寸的不断缩减所引起的反转窄宽效应，提升浅沟槽隔离结构的隔离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫氧化物层和硬掩膜层；在所述半导体衬底中蚀刻出用于填充隔离材料的第一沟槽；执行离子注入，以在所述第一沟槽的侧壁与所述衬垫氧化物层的下部交界的拐角区域形成离子注入区；以所述离子注入区为掩膜选择性蚀刻所述半导体衬底，以在所述第一沟槽的下部形成宽度大于所述第一沟槽的第二沟槽；在所述第二沟槽的侧壁和底部形成衬里氧化层；在所述第二沟槽和所述第一沟槽中填充所述隔离材料，以形成所述浅沟槽隔离结构，其中，所述浅沟槽隔离结构的底部宽度大于所述浅沟槽隔离结构的顶部宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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