[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310485697.1 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104576731B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;李昊;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种射频LDMOS器件，在外延层中具有体区和漂移区；在体区中具有源区；在漂移区中具有漏区。在部分漂移区之上、或者在部分漂移区和部分外延层之上具有垫氧化层。在部分源区和部分体区之上、或者在部分源区和部分体区和部分外延层之上具有栅氧化层。垫氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度。在垫氧化层和栅氧化层之上具有多晶硅栅极。栅极由主体、第一延伸部、第二延伸部所组成。栅极主体仅在栅氧化层的上方，栅极的各个延伸部仅在垫氧化层的上方。本申请还公开了其制造方法。本申请可以提升栅的可靠性，并改善IGSS失效，提升器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，在外延层中具有体区和漂移区；在体区中具有源区；在漂移区中具有漏区；其特征是：在部分漂移区之上、或者在部分漂移区和部分外延层之上具有垫氧化层；在部分源区和部分体区之上、或者在部分源区和部分体区和部分外延层之上具有栅氧化层；垫氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度；在垫氧化层和部分的栅氧化层之上具有多晶硅鱼骨栅栅极；鱼骨栅栅极由主体、从主体垂直延伸出来的一个或多个第一延伸部、从主体垂直延伸出来的一个或多个第二延伸部所组成；第二延伸部的延伸距离比第一延伸部的延伸距离更大；鱼骨栅栅极主体仅在栅氧化层的上方，鱼骨栅栅极的各个延伸部仅在垫氧化层的上方。
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