[发明专利]LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法与装置无效
申请号: | 201310485876.5 | 申请日: | 2013-10-16 |
公开(公告)号: | CN103529705A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 王峰;张芳 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | G05B13/04 | 分类号: | G05B13/04;G05D23/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法,包括:对LPCVD设备建立温度控制系统模型;对已建立的系统模型中加入非脆弱状态反馈控制器模型,建立含参耗散非脆弱控制器模型;使用二次能量供给函数对已建立的含参耗散非脆弱控制器模型进行稳定性分析;在含参耗散非脆弱控制器模型稳定时,对含参耗散非脆弱控制器模型中的变量进行求解,确定耗散非脆弱控制器模型。同时,本发明也公开了一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制装置,包括:温控系统模型建立模块;含参非脆弱型温控系统模型建立模块;含参耗散非脆弱控制模型稳定性分析模块;耗散非脆弱控制模型确定模块。 | ||
搜索关键词: | lpcvd 设备 耗散 脆弱 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1)对LPCVD设备建立温度控制系统模型;2)对已建立的系统模型中加入非脆弱状态反馈控制器模型,建立含参耗散非脆弱控制器模型;3)使用二次能量供给函数对已建立的含参耗散非脆弱控制器模型进行稳定性分析;4)在含参耗散非脆弱控制器模型稳定时,对含参耗散非脆弱控制器模型中的变量进行求解,确定耗散非脆弱控制器模型。
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