[发明专利]一种正负胶工艺结合的微带线制造方法无效
| 申请号： | 201310485962.6 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545589A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李建华;徐立新;陈和峰;卢冲赢 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正负胶工艺结合的微带线的制造方法，包括以下步骤：1）在玻璃片或者硅片上旋涂一层正胶作为器件释放的牺牲层；2）在正胶上用磁控溅射工艺沉积一层Cu金属作为电镀的种子层；3）在上述的Cu种子层上涂正胶，并光刻；4）电镀Ni作为微带线接地层；5）溅射Cu金属层；6）在上述得到的Cu层上面涂覆SU-8胶并光刻；7）溅射Cr/Cu电镀种子层；8）在SU-8介质层上涂胶、光刻；9）电镀微带线；10）用溶剂将正胶溶解，使以SU-8胶作为介质层的微带线器件从玻璃或硅片上释放下来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正负 工艺 结合 微带 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种正负胶工艺结合的微带线制造方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在玻璃或者硅片上涂覆正胶作为器件释放的牺牲层；第二步，在正胶上溅射电镀种子层并涂胶、光刻，电镀Ni作为接地层；第三步，在上述得到的基片上溅射一层Cu金属层；第四步，涂覆SU‑8光刻胶并光刻出图形；第五步，在上述得到的图形上溅射Cr/Cu种子层；第六步，涂胶、光刻出微带线图形；第七步，电镀Ni/Au微带线；第八步，溶解掉正胶，得到以SU‑8光刻胶为介质层的微带线。
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