[发明专利]立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法

摘要

本发明提供一种立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法，通过采用安瓿封入方式，在掺杂Si的GaAs结晶的生长中，在任意的时刻向坩埚内追加B₂O₃，可以制造能够控制结晶中的Si浓度、且尺寸比现有技术长、长度方向的载流子浓度稳定的掺杂Si的GaAs单晶。在立式晶舟法的结晶制造装置（10）和使用该装置的结晶制造方法中，坩埚（11）中含有作为原料的GaAs和作为掺杂剂的Si，具备：设置于安瓿（12）内与原料不同位置的追加B₂O₃（23）、将追加B₂O₃（23）与原料独立地加热的B₂O₃追加用加热器（24），在结晶（15）的生长中，利用B₂O₃追加用加热器（24）控制追加B₂O₃（23）的温度，使追加B₂O₃（23）的至少一部分熔融并且供给到坩埚（11）内。

主权项

一种立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于，具备：收容原料的坩埚；将所述坩埚封入的安瓿；和设置于所述安瓿的周围、将所述原料加热的结晶生长用加热器，利用所述结晶生长用加热器使所述原料熔融制成原料熔液，并且控制所述原料熔液的温度，在所述坩埚内从其下方向上方使结晶生长，在所述坩埚内含有作为所述原料的GaAs和作为掺杂剂的Si，该结晶制造装置具备：设置于所述安瓿内与所述原料不同位置的作为追加原料的追加B₂O₃；和将所述追加B₂O₃与所述原料独立地加热的B₂O₃追加用加热器，在所述结晶的生长中，利用所述B₂O₃追加用加热器控制所述追加B₂O₃的温度，使所述追加B₂O₃的至少一部分熔融并且供给到所述坩埚内。