[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201310487827.5 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779466B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 崔恩实;吴正铎;郑明训;宋基荣 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件，包括包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层，以及在电子阻挡层上的包括第二导电掺杂剂的第二半导体层。载流子注入层包括第一导电掺杂剂和第二导电掺杂剂，并且载流子注入层的第一导电掺杂剂的浓度至少低于第二导电掺杂剂的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层；设置在所述第一半导体层上的有源层；设置在所述有源层上的电子阻挡层；设置在所述有源层与所述电子阻挡层之间的载流子注入层；设置在所述有源层与所述载流子注入层之间的间隔层；以及包含第二导电掺杂剂并且设置在所述电子阻挡层上的第二半导体层；其中所述载流子注入层包含所述第一导电掺杂剂和所述第二导电掺杂剂，以及所述载流子注入层的所述第一导电掺杂剂的浓度至少低于所述第二导电掺杂剂的浓度，其中所述间隔层具有大于所述有源层的势垒层的带隙并且小于所述电子阻挡层的带隙的中间带隙。
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