[发明专利]在玻璃基底上制备四氧化三钴纳米薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在玻璃上制备无机材料四氧化三钴（Co3O4）纳米薄膜的方法，本发明通过将硝酸钴溶于甲醇和水的混合溶剂中，然后加入十六烷基三甲基溴化铵CTAB，搅拌或超声使其完全溶解，将混合溶液移入高压反应釜的聚四氟乙烯腔体里，再将玻璃基底放入聚四氟乙烯腔体中，密闭加热反应一段时间，然后自然冷却至室温。再将生长了前驱体薄膜的玻璃基底进行洗涤干燥，再经热处理在玻璃上制备得到Co3O4纳米薄膜。本发明的优点：所用试剂均为商业分析纯产品，无需繁琐加工。且原料种类少，成本底，工艺简单可控，易操作，产物纯度高。本发明所制备的产品在半导体行业具有广泛的用途。

主权项

一种在玻璃基底上制备四氧化三钴纳米薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）称量六水合硝酸钴和CTAB，其重量之比为1:2.95～3.00，形成六水合硝酸钴‑CTAB混合物，将六水合硝酸钴‑CTAB混合物溶解于甲醇‑水溶液中形成均一溶液，六水合硝酸钴‑CTAB混合物的质量与甲醇‑水溶液的体积之比为9.7～9.8:80；所述甲醇‑水溶液的甲醇与水体积之比为77:3；（2）用去离子水、乙醇依次对玻璃基底进行超声洗涤5～30分钟；（3）移取均一溶液放入高压反应釜的聚四氟乙烯腔体里，再将玻璃基底放入聚四氟乙烯腔体中，180℃下密闭反应3～24小时使玻璃基底上生长前驱体薄膜,自然冷却至室温；（4）将玻璃基底依次用去离子水和乙醇各冲洗3～6次，然后于80℃干燥5～10小时；（5）将玻璃基底在250～300℃下煅烧至少6小时后得到Co3O4纳米薄膜。