[发明专利]制造光导栅格的装置和方法有效
申请号: | 201310488456.2 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN104282699B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 郑允玮;简荣亮;郑易沂;郑志成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的光导栅格可包括具有多条交叉栅格线的栅格结构和用于交叉栅格线之间的光传感器元件的多个开口,其中,每条栅格线具有宽度w。栅格结构具有多个开口中的在对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度。对角栅格宽度的值大于约√3w。图像传感器可包括具有上述栅格结构的光导栅格,还包括微透镜(如下沉微透镜)和滤色器。一种制造光导栅格的方法可包括在至少一个光传感器上方形成栅格,其中,栅格具有宽度为w以及对角方向上的对角栅格宽度的值大于约√3w的交叉栅格线。本发明还公开了制造光导栅格的装置和方法。 | ||
搜索关键词: | 制造 栅格 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种光导栅格,包括:栅格结构,具有多条交叉栅格线以及用于交叉栅格线之间的光传感器元件的多个开口,每条栅格线都具有宽度w,其中,每个所述光传感器元件设置在微透镜的下方,并且每个所述微透镜向下延伸至所述光传感器元件的顶面下方;所述栅格结构具有所述多个开口中位于对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度,所述对角栅格宽度的值大于
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的