[发明专利]晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310489103.4 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN103531265A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 朱鹏;陈卫明 申请(专利权)人: 南通天盛光伏科技有限公司
主分类号: H01B1/16 分类号: H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226010 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法,该铝浆的组成及重量百分含量:低熔点铝合金60~80%、有机粘结剂10~20%、玻璃粉6~10%、助剂1~10%,其制备方法是称取上述成分混合,采用分散机分散后,在三辊研磨机上研磨;研磨后,加入有机溶剂,采用高速分散机分散均匀,罐装封口待用。本发明主要针对激光开孔和化学腐蚀的局限性,研发了一种可均匀印刷至晶体硅上,通过共烧结,穿透硅片背面钝化层,形成背场局域接触穿透的铝浆,避免了激光开孔导致的对硅片的损坏、化学腐蚀的污染,本发明的铝浆市场前景广阔。
搜索关键词: 晶体 太阳能电池 局域 接触 及其 制备 方法
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆,其特征在于:该铝浆的组成及重量百分含量:低熔点铝合金60~80%、有机粘结剂10~20%、玻璃粉6~10%、助剂1~10%。
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