[发明专利]一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法无效
| 申请号： | 201310489382.4 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103614702A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 苗凤秀;陈康平;金浩;黄琳 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/448 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，其特征在于：控制source源的电流，将1号、2号、3号source源的电流设置为85A～90A；将4号、5号source源的电流设置为95A～100A。本发明提高氮化硅膜的钝化性和减反射特性，进一步提高太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 otb 设备 沉积 氮化 梯度 渐变 方法 | ||
【主权项】：
一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，其特征在于：控制source源的电流，将1号、2号、3号source源的电流设置为85 A～90A；将4号、5号source源的电流设置为95A～100A。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
