[发明专利]优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法有效
| 申请号： | 201310489831.5 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103560151A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 姜贯军;陈桥梁;陈仕全;马治军;任文珍;杜忠鹏 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法。常规的超结VDMOS的结构中本征地寄生着双极型晶体管NPN结构和体二极管结构，为避免该寄生NPN晶体管开启，必须减小流过P柱或体二极管上部的反向恢复电流，降低寄生NPN管基极电阻RB的两端的压降使其无法开启。本发明包括P柱及位于P柱顶部的Pbody区，其特征在于：所述P柱上部的侧壁设置有氧化层。本发明的P柱侧壁具有二氧化硅氧化层，避免了寄生的双极型NPN晶体管的开启引起的器件失效；本发明兼容超结的深槽刻蚀与深槽外延工艺，在提升体二极管反向恢复能力的同时没有增加工艺制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 二极管 反向 恢复 特性 vdmos 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS，包括P柱（3）及位于P柱（3）顶部的Pbody区（4），其特征在于：所述P柱（3）上部的侧壁设置有氧化层（10）。
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