[发明专利]一种压力流量温度集成芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310491328.3 | 申请日： | 2013-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103496665A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 汪硕 | 申请（专利权）人： | 汪硕 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02;G01D21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片及制作方法，主要包括压力传感区域、流量与温度传感区域，本发明基于硅加工工艺，首先在基底整个硅层上方热氧化一层二氧化硅，在压力传感区域二氧化硅层上进行局部掺杂分别形成接触电阻和压敏电阻，再在整个硅片两面都热氧化沉积一层二氧化硅与低压化学气相沉积（LPCVD）一层低应力氮化硅，在流量传感区域用剥离法沉积一层铬和铂图形，在硅片正面压力传感区域局部刻蚀氮化硅和二氧化硅，再沉积一层铝或金膜图形形成整个芯片电极，流量传感区域有部分铬和铂图形为环境温度测量，最后同时进行压力传感薄膜与流量传感薄膜下硅刻蚀。本发明的优点是该微传感芯片集成压力、流量、温度等参数测量、体积小、制造工艺简单、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力 流量 温度 集成 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片及制作方法，主要包括压力传感区域、流量与温度传感区域，其特征在于：首先在基底硅层上方热氧化一层二氧化硅，在压力传感区域二氧化硅层上进行局部掺杂分别形成接触电阻和压敏电阻，再在整个硅片两面都热氧化沉积一层二氧化硅与低压化学气相沉积（LPCVD）一层低应力氮化硅，在流量传感区域用剥离法沉积一层铬和铂图形，在硅片正面压力传感区域局部刻蚀氮化硅和二氧化硅，再沉积一层铝或金膜图形形成整个芯片电极，流量传感区域有部分铬和铂图形为环境温度测量，最后同时进行压力传感薄膜与流量传感薄膜下硅刻蚀。
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