[发明专利]一种多层金属氧化物多孔薄膜纳米气敏材料的制备方法有效
申请号: | 201310491742.4 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103529081A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 孙旭辉;张平平;张书敏 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹毅 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多层金属氧化物多孔薄膜纳米气敏材料的制备方法,将微球水溶液自组装在覆盖有绝缘层的基底上,形成致密的单层阵列模板,用等离子刻蚀的方法刻蚀微球的表面,减小微球的间距,然后用物理沉积的方法沉积金属氧化物薄膜,之后用溶剂超声处理,去除模板,制备出多孔阵列金属氧化物薄膜,在空气气氛下退火处理即得到金属氧化物多孔薄膜气敏材料。本发明制备出规整的多孔阵列薄膜气敏材料,制得的多孔薄膜材料的孔径大小均一,材料的组合可控,孔径大小可控。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 金属 氧化物 多孔 薄膜 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多层金属氧化物多孔薄膜纳米气敏材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1)将微球模板通过LB膜法、溶液蒸发法、旋涂法或浸涂法中的一种自组装在覆盖有绝缘层的基底上,形成致密的单层阵列模板;步骤2)用刻蚀的方法减小微球的间距,间距范围为1nm‑1μm;步骤3)物理沉积金属氧化物薄膜;步骤4)去除模板,制备出多孔阵列金属氧化物薄膜,退火处理即得到金属氧化物多孔薄膜气敏材料。
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