[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法无效
| 申请号： | 201310491915.2 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103515291A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，通过SACVD工艺形成第一氧化层后，执行干法刻蚀工艺消除第一氧化层的脆弱面，然后再通过SACVD工艺形成第二氧化层，由此形成的浅沟槽隔离结构的隔离效果好，包含浅沟槽隔离结构的半导体器件的稳定性好，不易发生漏电、击穿。另外，增加氢气钝化（H2passivation）工艺，所述氢气钝化工艺可消除薄膜表面的不饱和键，从而使后续工艺的沉积速率稳定，并最终提高薄膜厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干隔离沟槽；通过SACVD工艺在所述半导体衬底上形成第一氧化层，所述第一氧化层填满所述隔离沟槽；执行干法回刻蚀工艺，在所述第一氧化层中形成一凹口；执行氢气钝化工艺；通过SACVD工艺在所述第一氧化层上形成第二氧化层；以及平坦化所述第一氧化层和第二氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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