[发明专利]一种高能量离子注入后的去胶方法

摘要

本发明提供一种高能量离子注入后的去胶方法，采用三个阶段去胶，第一个阶段是晶圆预热阶段，达到后续反应所需的工艺温度；第二个阶段是表面硬壳去除阶段，应用纯氢气、氮气混合气作为工艺气体去除高能离子注入后的表面碳化硬壳；第三个阶段是主体光刻胶去除阶段，以一定比例的氧气、氢气、氮气混合气为工艺气体去除残余的光刻胶。本发明的三阶段工艺去胶方法是利用氢气还原交联碳链的原理，在温和的反应条件下先去除注入后光刻胶外表面的碳化硬壳，从而避免反应开始阶段由于去胶速率过快而致光刻胶爆裂的情况发生，同时减少反应过程中碳硅氧成分的残留物生成，对其它膜质不会造成额外的损伤，有效降低晶圆表面缺陷，提高产品良率。

主权项

一种高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，包括： 晶圆预热阶段：对待去胶的晶圆加热，使其达到后续反应所需的工艺温度； 表面硬壳去除阶段：采用氢气、氮气形成的混合气作为工艺气体，去除晶圆高能量离子注入后的晶圆上光刻胶表面碳化的硬壳； 主体光刻胶去除阶段：采用氧气、氢气、氮气形成的混合气为工艺气体，去除晶圆上残余的光刻胶。