[发明专利]一种降低阱接出电阻的方法

摘要

一种降低阱接出电阻的方法，包括：步骤S1：提供半导体基底，并形成第一型离子之MOS器件；步骤S2：在所述第一型离子之MOS器件内进行第二型离子阱注入；步骤S3：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第一型离子低掺杂源漏注入工艺；步骤S4：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子环状注入工艺；步骤S5：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子源漏重掺杂注入工艺；步骤S6：在所述第二型离子阱接出区域形成金属硅化物。本发明所述降低阱接出电阻的方法增加了阱接出区域的注入剂量，从而减小了阱接出区域的接出电阻，降低了器件的衬底效应和栓锁效应，提高了器件的性能。

主权项

一种降低阱接出电阻的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供半导体基底，并在所述半导体基底上形成第一型离子之MOS器件；执行步骤S2：在所述第一型离子之MOS器件内进行第二型离子阱注入，当所述第一型离子为N型离子，所述第二型离子为P型离子时，在所述第二型离子阱注入过程中采用第III族元素进行注入；当所述第一型离子为P型离子，所述第二型离子为N型离子时，在所述第二型离子阱注入过程中采用第V族元素进行注入；执行步骤S3：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第一型离子低掺杂源漏注入工艺，当所述第一型离子为N型离子，所述第二型离子为P型离子时，在所述第一型离子低掺杂源漏注入工艺中采用第V族元素进行注入；当所述第一型离子为P型离子，所述第二型离子为N型离子时，在所述第一型离子低掺杂源漏注入工艺中采用第III族元素进行注入；执行步骤S4：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子环状注入工艺，当所述第一型离子为N型离子，所述第二型离子为P型时，在所述第二型离子环状注入工艺中采用第III族元素进行注入；当所述第一型离子为P型离子，所述第二型离子为N型离子时，在所述第二型离子环状注入工艺中采用第V族元素进行注入；执行步骤S5：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子源漏重掺杂注入工艺，当所述第一型离子为N型离子，所述第二型离子为P型离子时，在所述第二型离子源漏重掺杂注入工艺中采用第III族元素进行注入；当所述第一型离子为P型离子，所述第二型离子为N型离子时，在所述第二型离子源漏重掺杂注入工艺中采用第V族元素进行注入；执行步骤S6：在所述第二型离子阱接出区域形成金属硅化物，以进行后续金属互连工艺。