[发明专利]用于测量晶体管的特性的电压检测电路和方法有效
| 申请号： | 201310492219.3 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103837731B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 广濑达哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 杜诚,陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于测量晶体管的特性的电压检测电路和方法。电压检测电路包括晶体管；耦合到晶体管的漏极端子的开关；该漏极端子耦合到开关的一端；第一驱动器，其与驱动晶体管的栅极端子的第二驱动器同步地控制开关；以及多个电阻器，其串联耦合并耦合到开关的另一端。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 晶体管 特性 电压 检测 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种电压检测电路，包括：晶体管；耦合到所述晶体管的开关，其中所述开关的第一端耦合到所述晶体管的漏极端子；第一驱动器，其与驱动所述晶体管的栅极端子的第二驱动器同步地控制所述开关；以及第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器的第一端与所述第二电阻器的第一端串联耦合，其中，所述第二电阻器的第二端耦合到所述开关的与所述第一端相对的第二端，并且所述第一电阻器的第二端接地。
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