[发明专利]硅转接板结构及其圆片级制作方法有效
| 申请号： | 201310492853.7 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103500729A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 叶交托;陈骁;朱春生;徐高卫;罗乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 转接 板结 及其 圆片级 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
