[发明专利]三维AMRMEMS三轴磁力计结构以及磁力计有效
| 申请号： | 201310492897.X | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103528575B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01C17/32 | 分类号： | G01C17/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于NiFe AMR特性制作的MEMS三轴磁力计结构以及磁力计。三轴磁力计结构包括布置在预定平面上的各项异性磁阻材料，以便形成三轴磁力计结构的X和Y轴，然后在磁阻材料上形成电极部件用作barber电极，用来改变电流方向，以便利用AMR材料的各项异性磁阻效应；氧化物沟槽，所述氧化物沟槽的侧壁与所述预定平面垂直；布置在所述氧化物沟槽的与电极部件的长度方向平行的两个侧壁上的各向异性磁阻材料，所述各向异性磁阻材料形成三轴磁力计结构的Z轴。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 amrmems 磁力计 结构 以及 | ||
【主权项】：
一种三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于包括：布置在预定平面的NiFe各向异性磁阻材料膜层，所述各向异性磁阻材料膜层形成三轴磁力计结构的X轴和Y轴；在各向异性磁阻材料膜层上形成电极作为barber电极；氧化物沟槽，所述氧化物沟槽的侧壁与所述预定平面垂直；布置在所述氧化物沟槽的与电极部件的长度方向平行的两个侧壁上的各向异性磁阻材料，所述各向异性磁阻材料形成三轴磁力计结构的Z轴；在所述电极部件的一侧形成有多个所述氧化物沟槽，多个所述氧化物沟槽沿着所述电极部件的长度方向排布。
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