[发明专利]具有肖特基源LDMOS的半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201310497151.8 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103500757B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李瑞钢;赵一兵;张耀辉;吴菲 | 申请（专利权）人： | 苏州智瑞佳电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/28 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，包括重掺杂P型衬底或P+衬底、在重掺杂P型衬底或P+衬底上生长的P阱/外延、形成在P阱/外延中的P型扩散区、形成在P阱/外延中且与P型扩散区保持间隔的N阱/LDD、以及穿过P型扩散区并伸入到重掺杂P型衬底或P+衬底且与P型扩散区形成肖特基结的金属源极。本发明有效降低了源极串联电阻，利用金属本身的导电为器件沟道提供充足的载流子，可明显提高器件的增益，驱动电流和高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 肖特基源 ldmos 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，其特征在于其包括：重掺杂P型衬底、在重掺杂P型衬底上生长的P阱/外延、形成在P阱/外延中的P型扩散区、形成在P阱/外延中且与P型扩散区保持间隔的N阱/LDD、以及穿过P型扩散区并伸入到重掺杂P型衬底且与P型扩散区形成肖特基结的金属源极,所述金属源极采用Tb材料、或Er材料、或Yb材料。
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