[发明专利]三进制电存储材料及其制备和应用

摘要

本发明公开了一种三进制电存储材料及其制备和应用，其中三进制电存储材料的化学结构通式为：其中，x为5～9；y为1～5；数均分子量为11000～13000，分子量分布为1.4～1.6，R为-Br、或-H、或-NO₂、或-N(CH₂CH₃)₂。本发明的三进制电存储材料具有超高电信息存储密度的优越性能，大大提高了材料的信息存储能力。同时，基于上述三进制电存储材料能够制得三进制数据存储器件，该制备方法简单，效率高，制备的三进制数据存储器件稳定性高，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”、“1”二进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

主权项

1.一种三进制电存储材料，其特征在于，所述三进制电存储材料的化学结构通式为：其中，x为5～9；y为1～5；数均分子量为11000～13000，分子量分布为1.4～1.6，R为-Br、或-H、或-NO₂、或-N(CH₂CH₃)₂。