[发明专利]分布反馈式激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310498595.3 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103545711A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王火雷;米俊萍;于红艳;丁颖;王宝军;边静;王圩;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种分布反馈式激光器，其特征在于，包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于所述N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层；其中，所述P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。
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