[发明专利]半导体装置及其制法在审
| 申请号： | 201310498675.9 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104425414A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 曾文聪;赖顗喆;邱世冠;叶懋华 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制法，该半导体装置包括：具有多个导电穿孔的半导体基板、形成于该半导体基板上的缓冲材、以及分别形成于各该导电穿孔的端面上并覆盖该缓冲材的多个电性接触垫，以当于该电性接触垫上进行回焊制程时，可藉该缓冲材降低回焊时因热所产生的残留应力，所以能避免该电性接触垫上的接点出现破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：半导体基板，其具有多个导电穿孔，且该导电穿孔的端面外露于该半导体基板；缓冲材，其形成于该半导体基板上并外露出该导电穿孔的端面；以及多个电性接触垫，其分别形成于各该导电穿孔的端面上且电性连接该导电穿孔，并覆盖该缓冲材。
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