[发明专利]铜硅合金溅镀靶材及铜硅合金记录层在审
| 申请号： | 201310498740.8 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104575532A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 麦宏全;罗尚贤;廖浩嘉;黄品富;林守贤 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜硅合金溅镀靶材及一种铜硅合金记录层。该铜硅合金溅镀靶材及该铜硅合金记录层均由CuaSibMc合金组成，其中，M为镍、铬、钼或钛，a为0.55至0.93，b为0.05至0.25，c为0.02至0.20，且a、b及c的总和为1。由于该铜硅合金记录层具备适当含量的铜、硅以及镍、铬、钼或钛，故其相转变温度高于150℃且低于500℃，使其应用于光记录媒体中能获得良好的记录质量、稳定性及较快的烧录速度。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 溅镀靶材 记录 | ||
【主权项】：
一种铜硅合金溅镀靶材，其由CuaSibMc合金组成，其中，M为镍、铬、钼或钛，a为0.55至0.93，b为0.05至0.25，c为0.02至0.20，且a、b及c的总和为1。
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