[发明专利]化合物多晶的制造方法和制造装置、以及化合物单晶的制造方法

摘要

本发明提供能够不使用液体密封剂或石英安瓿而简便地合成高纯度的化合物多晶的化合物多晶的制造方法和制造装置、以及化合物单晶的制造方法。在本发明的一个方式中，提供一种化合物多晶的制造方法，其包括：将Ga（110）和As（111）收纳在通过细孔与外部连接的反应容器（10）中的工序；将反应容器（10）载置在压力容器（101）内，将压力容器（101）密闭的工序；用不活泼气体（112）置换压力容器（101）内的气氛的工序；和通过控制不活泼气体（112）的压力，总是以As的蒸气压以上的压力对压力容器（101）内进行加压，并且对反应容器（10）进行加热，使Ga（110）和As（111）反应，合成化合物多晶（114）的工序。

主权项

一种化合物多晶的制造方法，该化合物多晶含有一种以上的在合成反应开始温度具有高于大气压的蒸气压的原料，该制造方法的特征在于，包括：将包括所述原料的所述化合物多晶的起始原料收纳在通过细孔与外部连接的反应容器中的工序；将收纳有所述起始原料的所述反应容器载置在压力容器内，将所述压力容器密闭的工序；将所述压力容器内的气氛用不活泼气体置换的工序；和通过控制所述不活泼气体的压力，总是以所述原料的蒸气压以上的压力对所述压力容器内进行加压，并且对所述反应容器进行加热，使所述起始原料反应，合成化合物多晶的工序。