[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置。本发明提供ESD耐量高的半导体装置。第一过孔（16）用于使焊盘（22）与ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极电连接。在焊盘（22）下方，仅在矩形环状的中间层金属膜（17）的一边和与该一边相对的另一边设置有该第一过孔（16）。即，用于与漏极电连接的所有第一过孔（16）大致存在于焊盘（22）的正下方。由此，对焊盘（22）施加的ESD的浪涌电流容易均匀地流向全部漏极。这样，ESD保护电路的NMOS晶体管的各个沟道容易统一地进行动作，半导体装置的ESD耐量变高。

主权项

一种半导体装置，其在焊盘下方具有NMOS晶体管，该半导体装置具备：所述NMOS晶体管，其具有交替配置的源极以及漏极的扩散区域、在所述源极与所述漏极之间的各个沟道上配置的栅电极、以及包围所述源极与漏极的扩散区域和所述栅电极的用于固定衬底电位的P型扩散区域，所述沟道的数量为偶数；第1下层金属膜，其配置在所述漏极上方，以取得与所述漏极的电连接；第2下层金属膜，其用于使所述源极以及所述栅电极与所述P型扩散区域电连接；中间层金属膜，其是矩形环状，在所述焊盘下方具有开口部，经由第一过孔与所述第1下层金属膜电连接；上层金属膜，其配置在所述中间层金属膜上方，经由第二过孔与所述中间层金属膜电连接，形成了所述焊盘；以及保护膜，其具有与所述开口部一致的焊盘开口部，仅在所述中间层金属膜的一边和与所述一边相对的另一边配置有所述第一过孔，所述源极以及漏极的扩散区域关于所述NMOS晶体管的沟道宽度方向的直线对称地配置。