[发明专利]一种缓启动电路有效

专利信息
申请号: 201310504587.5 申请日: 2013-10-23
公开(公告)号: CN104578742B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 刘争林;潘超;唐光明;李祥峰 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02H9/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种缓启动电路,包括:第一电源;第二电源;接入第一电源的电容;与所述电容串联的开关晶体管,其栅极接入第二电源的第一输入端;第一控制模块,用于在所述开关晶体管的源漏电压VDS大于预设阈值时,控制所述开关晶体管工作在线性区。本发明的缓启动电路在开关晶体管VT1的VDS大于预设阈值时,通过第一控制模块控制开关晶体管VT1工作在线性区,使开关晶体管VT1等效成为一个阻抗以抑制冲击电流。由于本发明是根据VDS对开关晶体管VT1进行控制,因此对开关晶体管VT1与电容C1的匹配度要求更低,适用性更强;此外,本发明的缓启动电路还具有结构简单、成本低、工作寿命长的特点。
搜索关键词: 开关晶体管 缓启动电路 电源 控制模块 在线性区 阈值时 电容 预设 控制开关晶体管 工作寿命长 电容串联 抑制冲击 源漏电压 栅极接入 匹配度 输入端 阻抗
【主权项】:
1.一种缓启动电路,其特征在于,包括:第一电源;第二电源;接入第一电源的电容;与所述电容串联的开关晶体管,其栅极接入第二电源的第一输出端;第一控制模块,用于在所述开关晶体管的源漏电压VDS大于预设阈值时,控制所述开关晶体管工作在线性区;所述开关晶体管为N‑MOS管,其漏极与所述电容连接,其源极接地;所述第二电源还包括第二输出端;第一控制模块包括稳压单元,所述稳压单元的输入端与所述第二电源的第二输出端连接,其输出端通过第一控制开关与所述开关晶体管的栅极和源极连接,用于根据工作信号为所述开关晶体管的源极和栅极提供电压,使得所述开关晶体管工作在线性区;或者所述开关晶体管为P‑MOS管,其漏极与所述电容连接,其源极接入所述第一电源;所述稳压单元的输入端与所述第一电源连接,其输出端通过第二控制开关与所述开关晶体管的栅极和源极连接。
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