[发明专利]清洁制剂

摘要

描述了一种用于从具有图案的微电子器件除去含铜的蚀刻后和/或灰化后残留物的组合物和方法。所述除去组合物包括水、水可混溶的有机溶剂、胺化合物、有机酸和氟离子源。所述组合物从所述微电子器件有效地除去含铜的蚀刻后残留物而不会损害暴露的低‑k介电材料和金属互连材料。

主权项

1.一种用于从半导体衬底除去残留物的组合物，所述组合物由以下组成：a)35重量％至50重量％的水；b)10重量％至30重量％的水可混溶的有机溶剂，其中所述水可混溶的有机溶剂选自丙二醇、甘油、二甲基乙酰胺、四氢糠醇、乙二醇、己二醇及其混合物；c)8重量％至50重量％的氨基丙基吗啉或选自如下的烷醇胺：N‑甲基乙醇胺(NMEA)、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、单‑、二‑和三‑异丙醇胺、2‑(2‑氨基乙氨基)乙醇、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇、三乙醇胺、N‑乙基乙醇胺、N,N‑二甲基乙醇胺、N,N‑二乙基乙醇胺、N‑甲基二乙醇胺、N‑乙基二乙醇胺、环己基胺二乙醇及其混合物；d)6重量％至10重量％的有机酸；e)1重量％至8重量％的氟离子源；和f)任选地，0.1重量％至15重量％的腐蚀抑制剂，选自苯并三唑、氨基苯并三唑、L‑抗坏血酸、没食子酸、香草醛、二乙基羟胺及其混合物；其中所述组合物能够提供或更小的铜蚀刻速率。