[发明专利]光学邻近修正模型的获取方法有效
申请号: | 201310505289.8 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN104570586B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 王辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种光学邻近修正模型的获取方法,包括:获取用户目标图形,对所述用户目标图形进行光学邻近修正,获得修正后掩膜版图形;得到修正后掩膜版图形的光强信息;若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息,则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入光学邻近修正模型数据库。如此,采用光强信息比较方式,增加了光学邻近修正模型数据库中的掩膜版图形,对于客户新的电路设计图形,数据库可以实现完全覆盖。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版图形 光学邻近修正 光强信息 修正 模型数据库 用户目标 电路设计 相干 数据库 客户 记录 | ||
【主权项】:
1.一种光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,包括:获取用户目标图形,对所述用户目标图形进行光学邻近修正,获得修正后掩膜版图形;得到修正后掩膜版图形的光强信息;所述修正后掩膜版图形的光强信息包括:修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值;若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息,则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入所述光学邻近修正模型数据库;其中,所述已有掩膜版图形的光强信息包括:已有掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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