[发明专利]一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法

摘要

本发明是一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法，它是在制作碳化硅静电感应晶体管时，在碳化硅台面形成后，进行介质生长工艺，然后采用自对准干法刻蚀介质工艺，在干法垂直刻蚀后，利用侧壁残留介质有效保护台面侧壁，避免其被注入，从而缩小了高能离子注入的栅窗口，最终有效缩小了栅长。本发明利用感应耦合等离子体干法刻蚀技术的垂直方向性好的特点，在碳化硅片完成垂直性好的台面结构及介质掩膜生长的基础上，大面积自对准刻蚀，保证了台阶侧壁介质掩膜厚度的精确控制，有效的减小了注入形成栅的栅长，保证了器件性能的提高。

主权项

一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法，其特征是该方法包括如下步骤：1）在碳化硅材料表面生长第一种介质掩膜层；2）在生长的第一种介质掩膜层表面涂覆光敏掩膜层形成光敏掩膜层，接着进行曝光、显影，形成待刻蚀台面图形；3）对露出的图形区域进行过刻蚀第一种介质掩膜层到碳化硅表面的同时去除光刻胶；4）用第一种介质掩膜层作为阻挡层，干法刻蚀碳化硅形成台面；湿法去除碳化硅表面第一种介质掩膜层；5）在碳化硅材料表面再次生长第二种介质掩膜层；6）采用自对准的方法，干法刻蚀第二种介质掩膜层到碳化硅表面，保证了刻蚀后台面侧壁介质掩膜的留存；7）在碳化硅材料表面涂覆形成光敏掩膜层，接着进行曝光，形成待注入图形；8）通过台面上第一种介质掩膜层及侧壁第二种介质掩膜层的保护，结合离子注入区外的光敏掩膜层的保护，进行栅槽区域的高能离子注入形成栅注入区域；9）湿法去除碳化硅表面光刻掩膜层及介质掩膜层。