[发明专利]一种新型白光LED结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明电极层；所述红黄光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的n型半导体材料层、发光层、p型半导体材料层和透明电极层，透明电极层上设有反射层，同时还介绍了该芯片结构的制作方法。本发明通过将蓝光芯片发出的蓝光和红黄光芯片发出的红黄光进行光谱直接叠加而发出白光，与现有的白光LED芯片相比，无需荧光粉，发光效果好，提高LED能量转换效率且延长了使用寿命。

主权项

一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括有蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底上依次生长的GaN缓冲层、DBR层、n型GaN层、由InGaN和GaN材料层组成的发光层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和ITO透明电极层；所述红黄光芯片包括有GaP衬底、在GaP衬底上依次生长的n型AlInGaN层、发光波长为560‑600nm的AlxInyGazP发光层、p型AlInGaN层、ITO透明电极层和反射层，其中AlxInyGazP发光层中，x和y的摩尔分数均为0.25‑0.5，x＝y，z＝1‑x‑y。