[发明专利]一种薄膜层应力的测量方法和系统在审
| 申请号： | 201310507896.8 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104576429A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;王焜;文燕;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜层应力的测量方法，包括：在基片表面形成多个标记，记录每个标记在基片表面的原始坐标值；在做标记的基片表面生长薄膜层，所述薄膜层覆盖在所述基片和所述标记上；测量生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值，得到每个标记现有坐标值和原始坐标值之间的偏差值；根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层的应力值。本发明的测量精确度很高，由此得到的薄膜层的应力值精确度也很高，解决了现有技术中对应力测量精度较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 应力 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
一种薄膜层应力的测量方法，其特征在于，包括：在基片表面形成多个标记，记录每个标记在基片表面的原始坐标值；在做标记的基片表面生长薄膜层，所述薄膜层覆盖在所述基片和所述标记上；测量生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值，得到每个标记现有坐标值和原始坐标值之间的偏差值；根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层的应力值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310507896.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆结构及其捡片方法
- 下一篇：单层基板封装工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
